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簡要描(miao)述:高阻抗(T歐級)涂層測試儀- 腐蝕電化學的產品概述PGU IMP Micro是為德(de)國弗勞恩(en)霍夫陶瓷技(ji)術和系(xi)統研(yan)究所(suo)(Fraunhofer-Institut für Keramische Technologien und Systeme,IKTS)特殊設計的(de)。在IPS愛譜斯標準阻(zu)抗恒電位(wei)儀(yi)PGU 10V-1A-IMP-S的(de)基礎上升級成一個可靠測量高阻(zu)抗的(de)恒電位(wei)儀(yi)PGU IMP Micro。
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PGU IMP Micro是(shi)為德國(guo)弗勞(lao)恩霍夫陶瓷技術和系統(tong)研究所(Fraunhofer-Institut für Keramische Technologien und Systeme,IKTS)特殊設計的(de)。在(zai)IPS愛譜(pu)斯標準阻(zu)(zu)(zu)抗恒電位儀PGU 10V-1A-IMP-S的(de)基礎上(shang)升級成一個可(ke)靠測量高(gao)阻(zu)(zu)(zu)抗的(de)恒電位儀PGU IMP Micro。目前為止,我們能夠可(ke)靠的(de)測量5T Ohms的(de)阻(zu)(zu)(zu)抗(并聯25pF的(de)電容(rong))。IKTS期望測量5T Ohms,為此IPS愛譜(pu)斯開(kai)發了特殊的(de)電路設計。PGU IMP Micro沒有功率放大器(qi),即輸(shu)入運算(suan)放大器(qi)也提供相等(deng)的(de)輸(shu)出信號,以提高(gao)信噪比。此外,PGU IMP Micro使用兩個輸(shu)入放大器(qi),一個用于高(gao)頻低阻(zu)(zu)(zu)抗,一個用于低頻高(gao)阻(zu)(zu)(zu)抗。
PGU IMP Micro采用(yong)24 Bits ADC,其理(li)論(lun)電壓(ya)測量(liang)分辨率為1μV, 理(li)論(lun)電流測量(liang)分辨率為1aA;采用(yong)26 Bits DAC,其理(li)論(lun)施(shi)加電壓(ya)分辨率為330nV。
PGU IMP Micro采用(yong)10MHz的(de)高頻正弦(xian)(xian)波(bo)和三(san)角波(bo)正弦(xian)(xian)波(bo)發生器(qi),理論上(shang)(shang)達到(dao)8000kV/s的(de)掃描(miao)速(su)率(lv),受(shou)PGU IMP Micro的(de)帶寬限制,實(shi)際上(shang)(shang)約為100kV/s。PGU IMP Micro同時(shi)加配了一個USB快(kuai)速(su)測量示波(bo)器(qi)模(mo)塊,可以(yi)檢測高達20MHz的(de)信號,每個通道的(de)采樣(yang)率(lv)為100Ms。
?自動換(huan)檔(dang)(dang):通過在標準模(mo)式下(xia)監控最大/最小電流值來(lai)切換(huan)電流檔(dang)(dang)位。在EIS阻抗測量中(zhong),電流檔(dang)(dang)位將隨著頻(pin)率調整和計算(suan)阻抗的變化而變化;
?偏(pian)(pian)移(yi)校(xiao)(xiao)正(zheng):阻(zu)抗信號的測量(liang)(liang)輸(shu)出經過有源偏(pian)(pian)移(yi)校(xiao)(xiao)正(zheng)。因此(ci),信號的AC交流分量(liang)(liang)被移(yi)到
零線,以最大限度地增強信(xin)噪比測量;
?極限(xian)控制:通過在EcmWin軟件中輸入閾值來控制測(ce)量過程,避(bi)免不必(bi)要(yao)的情況;
?順序測(ce)量(liang):OCP、線性掃描(miao)、計時測(ce)試、阻(zu)抗測(ce)量(liang)或電化學噪聲等方法可(ke)以(yi)(yi)隨機組合(he)在一起。借助(zhu)智(zhi)能跳(tiao)轉函數,可(ke)以(yi)(yi)生成非(fei)常復(fu)雜的測(ce)量(liang)例程。實(shi)際上(shang),任(ren)何(he)特殊的測(ce)試方法都可(ke)以(yi)(yi)用(yong)它來創建;
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