ALD可實現從傳統的(de) 0D、1D 和 2D 材料到(dao)仿生結構和混合(he)材料、多孔模板和具有(you)均勻(yun)控制成(cheng)分和物理化學性質(zhi)的(de)三維復(fu)雜納米結構。

原子沉積系統ALD

標準型（Standard ）設備

價格低、質量高、可任選附件進(jin)行搭配

結構簡單(dan)，操作(zuo)方便(bian)，后期維護簡單(dan)易行(xing)

用途廣，適合各種基底材料

原子層沉積系統ALD ——擴展型（Flexivol）設備

腔室(shi)體積可根據(ju)用戶樣品的(de)尺寸靈(ling)活調節，同一腔室(shi)可通(tong)過簡單的(de)調節適(shi)用于不同厚度的(de)樣品

增多前驅體(ti)源(yuan)入口數目，避(bi)免腔室體(ti)積增大(da)對前驅體(ti)化學源(yuan)氣氛分布的(de)影響

ALD原子層沉積系統——高度定制化（Non-Standard）設備

為工業客戶提供薄膜(mo)沉積方案

放大基于標(biao)準研究型設備檢驗的相同技(ji)術

根據客戶的特殊需(xu)求，加工(gong)定制，滿足特殊應用及大規模(mo)的生產(chan)需(xu)要

研發(fa)（R&D）服務

開發新的薄膜沉(chen)積方(fang)案(an)

診(zhen)斷、改(gai)進現有ALD的工藝

為潛在的(de)客戶做覆(fu)膜(mo)演示

薄膜沉積工藝咨(zi)詢

原子層沉積系統ALD技術參數

不銹鋼材質腔室，根據客(ke)戶(hu)樣品尺寸有不同的腔室直(zhi)徑（D < 200 mm, D = 200 mm, D > 200 mm）和高度（H = 20 mm, H = 50 mm）可選；前驅(qu)體(ti)進(jin)樣系統標配(pei)四路(lu)（包含冷和熱兩種前軀(qu)體(ti)），可配(pei)至(zhi)八路(lu)

前驅體進樣系統配有快(kuai)速氣動閥門

多段溫度(du)控制

前驅體溫控0-200 °C，精(jing)度1 °C

腔室溫控0-300 °C ，精(jing)度(du)1 °C

進出腔室(shi)管(guan)路溫控0-150 °C ，精度1 °C

基(ji)本壓強　10^?1/10^?3 mbar

設備尺寸　1000x600x1000 mm

觸(chu)控控制系統(tong)

系統當(dang)前狀態信(xin)息顯示：氣流速度、溫度、壓力和閥門開度等(deng)

工藝監控：溫度和壓(ya)力等(deng)

偏差(cha)報警和安全鎖(suo)

菜單操(cao)作(zuo)，實時(shi)監(jian)控

可(ke)增配選項

等(deng)離子體發生器    借助(zhu)等離(li)子化的氣態(tai)原子替代水作為(wei)氧化物來增強ALD性能

臭氧發生器(qi)         提供強(qiang)氧化劑(ji)，增大ALD生長的前驅體選擇范圍

石英晶體微天(tian)平    在線監測薄膜(mo)沉積的厚度

工(gong)業及非(fei)標(biao)研發系(xi)統(tong)