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高電壓電化學工作站200V

簡要(yao)描述(shu):高(gao)電(dian)壓電(dian)化(hua)學工作(zuo)站200VPGU-200V和PGU-400 V高(gao)電(dian)壓電(dian)化(hua)學工作(zuo)站的(de)電(dian)流范圍高(gao)達±2A,同時采用(yong)了GND電(dian)阻器和帶(dai)工作(zuo)感(gan)應的(de)參比(bi)電(dian)極引線,可以實現1μA到2A(8檔位(wei))的(de)電(dian)流切換。

  • 產品型號:
  • 廠(chang)商(shang)性質:生產廠家
  • 更(geng)新(xin)時(shi)間(jian):2024-05-21
  • 訪(fang)  問  量:919

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PGU-100 V、PGU-200 V和PGU-400 V是IPS愛(ai)(ai)譜(pu)斯(si)的(de)高(gao)(gao)(gao)電(dian)壓(ya)(ya)電(dian)化(hua)(hua)學(xue)(xue)(xue)工(gong)(gong)作站系列。對(dui)于一(yi)些特殊的(de)客(ke)戶應用(例(li)如,納米管和陽極氧(yang)化(hua)(hua)、有機體系的(de)電(dian)合成、混凝(ning)土體系的(de)腐蝕測(ce)試等),都需要高(gao)(gao)(gao)于±10V的(de)高(gao)(gao)(gao)槽(cao)壓(ya)(ya)和高(gao)(gao)(gao)極化(hua)(hua)電(dian)壓(ya)(ya)的(de)電(dian)化(hua)(hua)學(xue)(xue)(xue)工(gong)(gong)作站。為此,IPS愛(ai)(ai)譜(pu)斯(si)設計(ji)開(kai)發了PGU-100 V高(gao)(gao)(gao)電(dian)壓(ya)(ya)電(dian)化(hua)(hua)學(xue)(xue)(xue)工(gong)(gong)作站(±120V槽(cao)壓(ya)(ya)、±100V極化(hua)(hua)電(dian)壓(ya)(ya)、±2A電(dian)流(liu))、PGU-200 V高(gao)(gao)(gao)電(dian)壓(ya)(ya)電(dian)化(hua)(hua)學(xue)(xue)(xue)工(gong)(gong)作站(±220V槽(cao)壓(ya)(ya)、±200V極化(hua)(hua)電(dian)壓(ya)(ya)、±2A電(dian)流(liu))和PGU-400 V高(gao)(gao)(gao)電(dian)壓(ya)(ya)電(dian)化(hua)(hua)學(xue)(xue)(xue)工(gong)(gong)作站(±410V槽(cao)壓(ya)(ya)、±400V極化(hua)(hua)電(dian)壓(ya)(ya)、±2A電(dian)流(liu))。如果需要更高(gao)(gao)(gao)的(de)電(dian)流(liu),請聯系我(wo)們IPS愛(ai)(ai)譜(pu)斯(si)。

高電壓電化學工作站200V高電壓電化學工作站的主要應用:

1.       對金屬板(例如鋁)進行陽極氧化

此功能通常要求設備提(ti)供更高的(de)電壓(ya)和更高的(de)電流(liu)。通常,我們(men)的(de) PGU-可提供 200 V@2A,也可以定制(zhi)為(wei) 200 V@4A。將程序設(she)置為(wei)從 OCP 開始(shi)到約 100V 的斜(xie)率(lv)施加電壓,然后在長達 30 分鐘的時間內施加恒定值(斜坡結束 在該保持時間(jian)內形成陽極氧化層。 陽極氧化工藝的典型過(guo)程(cheng)是重(zhong)復,在重(zhong)復過(guo)程(cheng)中(zhong),電(dian)流通常比第一次低得多, 表明(ming)該過(guo)程(cheng)已正常進(jin)行(xing)。

2.       高電壓電化學工作站200V 制(zhi)備納米管

該過程類(lei)似于陽極氧化(hua)過程,但是納米管制備僅需要處理一(yi)次(ci)。

3.       交流阻抗 EIS

如果將高(gao)壓設備用(yong)于 EIS,典型(xing)的應用(yong)是 AC 交流腐蝕研究。 客戶應(ying)該知道(dao),高壓設備的 EIS 功能與(yu)普通(tong)電化學工作站(zhan)的(de) EIS 測量無法(fa)并行比較。 在高(gao)(gao)壓(ya)設備上,交流幅度必須更高(gao)(gao),幾(ji)毫伏的振幅(±10mV)幾乎是(shi)高(gao)(gao)壓設(she)備的(de)基本噪聲。 因(yin)此,使用高(gao)(gao)壓設(she)備 EIS 的典型值為±100mV,如果測(ce)量對(dui)樣品破(po)壞不大,至少(shao)還應(ying)該再高。如果考慮 AC 交流(liu)腐蝕,振幅(fu)可(ke)以設為±100V。 但是(shi)客戶應該知道(dao),功率越大,速度(du)越低。 在

±100V 時(shi),我(wo)們只(zhi)能達到幾百 Hz 得(de)頻(pin)率(最大約 300Hz);在較低的振(zhen)幅下(xia),我們可(ke)以(yi)實現(xian)約 20 kHz EIS 測試。

高壓設備配有兩個正弦波發生器。為了研究 AC 交流電腐蝕,客戶可以在一個通道上施加特定頻率的 AC 交流擾動(例如 50Hz,或 60Hz 或 16.666Hz 或其它需求頻率)。在另一個通道上,客戶可以使用固定頻率測試,也可以使用從 20 kHz 到 0.001Hz 的區域測試。自帶的 EcmWin 軟件可以分離不同頻率(要求第一通道和第二通道的頻率要不一(yi)樣,甚至最好不要接近。因此高壓設備可以像普通電化學工作(zuo)站一樣進行(xing) EIS 測試。

除(chu)了自動(dong)模(mo)式外,還可以(yi)使用(yong)手動(dong)模(mo)式。因(yin)此,客戶可以(yi)在一(yi)個通道(dao)上(shang)施加(jia)恒定(ding)頻率(lv),而在另一(yi)通道(dao)上(shang)檢測第二頻率(lv)。通過不同(tong)頻率(lv)去檢測什么(me)時(shi)候發生反應。

 

PGU-200 V和PGU-400 V高電(dian)壓電(dian)化(hua)(hua)學工作站既可以手動(dong)控制(zhi)(zhi)也(ye)(ye)可以通(tong)過EcvWin軟件控制(zhi)(zhi)。同(tong)時高電(dian)壓電(dian)化(hua)(hua)學工作站都會配備一個(ge)安全(quan)箱(xiang),它不僅(jin)是一個(ge)法(fa)拉第屏(ping)蔽箱(xiang),也(ye)(ye)是一個(ge)安全(quan)箱(xiang)。測試正在運行時,如(ru)果箱(xiang)門被打(da)開,它會觸發(fa)自帶的(de)保護電(dian)路,以斷開對電(dian)極回路,禁(jin)止輸出電(dian)壓。此外(wai)當(dang)實際電(dian)流超過所(suo)選(xuan)電(dian)流檔位(wei)的(de)15%時,此安全(quan)箱(xiang)也(ye)(ye)會自動(dong)斷開電(dian)壓,形(xing)成保護。

   高(gao)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)電(dian)(dian)(dian)(dian)化(hua)學(xue)工(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)站工(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)站PGU-200V和(he)PGU-400 V高(gao)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)電(dian)(dian)(dian)(dian)化(hua)學(xue)工(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)站的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)流范圍(wei)高(gao)達±2A,同時采用(yong)了GND電(dian)(dian)(dian)(dian)阻器和(he)帶(dai)工(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)感應(ying)的(de)參比電(dian)(dian)(dian)(dian)極(ji)引線,可以(yi)實現1μA到(dao)2A(8檔位(wei)(wei))的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)流切換。此外PGU-200V和(he)PGU-400 V高(gao)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)電(dian)(dian)(dian)(dian)化(hua)學(xue)工(gong)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)站還配置了兩個內置的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei)計和(he)兩個BNC連接器,用(yong)于(yu)設置內部和(he)/或外部電(dian)(dian)(dian)(dian)源的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)位(wei)(wei),此模式特別適合(he)于(yu)手動操(cao)作(zuo)(zuo)(zuo)(zuo)。

高電壓電化學工作站工作站(圖2)

 

 

 

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