SiC基單層石墨烯電極是在SiC基底上生長 1 個 15 x 15 mm²單層石墨烯樣品。

    SiC基單層石墨烯電極是由碳（C）原子組成的晶體平面，sp²鍵(jian)(jian)在(zai)蜂窩晶格(ge)中結(jie)合，其中碳與三(san)個平面內鍵(jian)(jian)結(jie)合，而第四個在(zai)垂直方向上是不飽和鍵(jian)(jian)。這種(zhong)晶體(ti)結(jie)構負(fu)責石(shi)墨(mo)烯的*特性。在(zai)本產品中，石(shi)墨(mo)烯在(zai)Si端接SiC基板上形成。*形成的(de)(de)碳層(ceng)(ceng)稱為界面層(ceng)(ceng)或緩沖層(ceng)(ceng)，它(ta)是絕緣的(de)(de)，因(yin)為它(ta)的(de)(de)碳原子有(you)三(san)分(fen)之一與SiC基板共價結合(he)。外延(yan)石墨烯是指在界面層之上(shang)形成的碳層，具有隔離單(dan)層石墨烯典型的線(xian)性分散。

    本(ben)產品為極耐用(yong)電(dian)極，適合多種(zhong)使用(yong)。如果涂覆了涂層，無論采(cai)用(yong)何種(zhong)沉積技術，都可以通過強酸或(huo)堿(jian)溶液（取決于(yu)涂層性質）去除涂層，而不會影(ying)響石(shi)墨烯層。請注意，如果應用(yong)的電(dian)勢(shi)高于(yu) +2V，SiC 上的單層石(shi)墨烯可能會以電化學方式降解。

規范(fan)
覆蓋率： 100%
厚度(du)變化：< 10%="" of="" bi-layer="">
電(dian)導率類型：n型(xing)
薄板載(zai)體(ti)密度：2 x 10¹² × 5 x 10¹²厘米^-2
移動性： 1500 - 2200 厘米(mi)²/V
基板類型：4H-SIC HPSI
基板厚度(du)：0.5 毫米(mi)
基(ji)板(ban)長度： 15 毫(hao)米
基板寬度：15 毫米
基板方向：軸上
基板(ban)電阻(zu)率范圍(wei)：± 1 x 10⁵ °cm
基板微管密度（MPD）：標(biao)準(zhun)
基板精加工(gong)：雙面拋光 Si 面 CMP