SiC基單層石墨烯電極是在SiC基底上生長 1 個 15 x 15 mm²單層石墨烯樣品。

    SiC基單層石墨烯電極是由碳（C）原子組成的晶體(ti)平面，sp²鍵(jian)(jian)在蜂窩晶(jing)格中(zhong)(zhong)結(jie)合，其中(zhong)(zhong)碳與三個平面(mian)內鍵(jian)(jian)結(jie)合，而第四個在垂直方向上是不(bu)飽和(he)鍵(jian)(jian)。這種晶(jing)體結(jie)構負責石墨烯的(de)*特性。在本(ben)產品(pin)中(zhong)(zhong)，石墨烯在Si端接SiC基(ji)板上形(xing)成。*形(xing)成的(de)碳(tan)層稱(cheng)為界面層或(huo)緩沖層，它是絕緣(yuan)的(de)，因為它的(de)碳(tan)原子有(you)三分之一與SiC基板共價結合。外延石墨烯是指在(zai)界面(mian)層(ceng)之上形成(cheng)的(de)碳層(ceng)，具有隔離(li)單(dan)層(ceng)石墨烯典(dian)型的(de)線性分散。

    本產品為極耐用(yong)(yong)電極，適(shi)合多(duo)種使用(yong)(yong)。如果涂(tu)覆了涂(tu)層(ceng)，無論采用(yong)(yong)何種沉積技術，都(dou)可以通過強酸或堿溶液（取決于涂(tu)層(ceng)性質）去除涂(tu)層(ceng)，而不會影(ying)響石墨烯層(ceng)。請注意，如果應用(yong)(yong)的電勢高于 +2V，SiC 上的單層(ceng)石(shi)墨烯可能會以(yi)電(dian)化學方式降解。

規范(fan)
覆蓋率： 100%
厚度變化(hua)：< 10%="" of="" bi-layer="">
電導率(lv)類型(xing)：n型
薄板載體(ti)(ti)密(mi)度：2 x 10¹² × 5 x 10¹²厘米^-2
移動性： 1500 - 2200 厘米²/V
基板類型：4H-SIC HPSI
基板厚度：0.5 毫米
基板(ban)長度： 15 毫米
基(ji)板寬度：15 毫米
基板方向：軸上
基板電阻率范圍：± 1 x 10⁵ °cm
基(ji)板微管(guan)密度（MPD）：標準
基板精加工：雙面拋光 Si 面(mian) CMP